长鑫科技申请半导体结构及其制作方法专利，确保绝缘结构的填充效果

金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN120239259A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体领域，半导体结构包括衬底、位线和隔离层，隔离层包括平行于衬底的第一隔离部和第二隔离部，第二隔离部位于第一隔离部的下方，第一隔离部在衬底上的投影围设出按照第二阵列排布的多个第一预设图形，位线的底部具有贯穿隔离层的位线接触结构，位线接触结构在衬底的投影位于第一预设图形内，第一隔离部至少覆盖部分第二隔离部构成重合区域。上述半导体结构的第一隔离部和第二隔离部在半导体结构的制作过程中形成，能够在位线接触孔的周围形成台阶结构，以避免遮挡位线接触孔，确保绝缘结构的填充效果，减少耦合作用和漏电问题，提升产品的良率和性能。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息437条，此外企业还拥有行政许可34个。

本文源自金融界